近期，研究人員提出了一個分析帶計算（analytical band calculation, ABC）模型來研究單層二硫化鉬的帶結構。對于二維（2D）材料來說，一個半導體層的厚度約…

本研究中合成的莫比烏斯碳納米帶的結構。圖片來源：瀬川泰知等人/《自然·合成》 構建結構均勻的納米碳對于納米技術、電子學、光學和生物醫(yī)學應用中的功能材料的發(fā)展至關重要。據近日發(fā)表在《…