【手機(jī)中國新聞】最近幾年，國產(chǎn)芯片面臨“卡脖子”的危險(xiǎn)。有專家討論，中國要么沿著國外的技術(shù)路線打造國產(chǎn)芯片；要么另辟蹊徑，開辟全新的賽道，實(shí)現(xiàn)彎道超車。顯然，后一條路線更難。目前來看，這兩條路線是并行的，而且各自有所突破。
國產(chǎn)芯片（圖文無關(guān)）
9月14日晚，中國科學(xué)家在國際頂級學(xué)術(shù)期刊《自然》發(fā)表最新研究，首次得到了納米級光雕刻三維結(jié)構(gòu)，在下一代光電芯片制造領(lǐng)域獲得了重大突破。這一重大發(fā)明未來或可開辟光電芯片制造新賽道，有望用于光電調(diào)制器、聲學(xué)濾波器、非易失鐵電存儲器等關(guān)鍵光電器件芯片制備，在5G/6G通訊、光計(jì)算、人工智能等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
據(jù)悉，南京大學(xué)張勇、肖敏、祝世寧領(lǐng)銜的科研團(tuán)隊(duì)，發(fā)明了一種新型“非互易飛秒激光極化鐵電疇”技術(shù)，將飛秒脈沖激光聚焦于材料“鈮酸鋰”的晶體內(nèi)部，通過控制激光移動的方向，在晶體內(nèi)部形成有效電場，實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的直寫和擦除。
這一新技術(shù)的難度在于，它突破了傳統(tǒng)飛秒激光的光衍射極限，把光雕刻鈮酸鋰三維結(jié)構(gòu)的尺寸，從傳統(tǒng)的1微米量級（相當(dāng)于頭發(fā)絲的五十分之一），首次縮小到納米級，達(dá)到30納米，大大提高了加工精度。
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