SK 海力士今天發(fā)布了行業(yè)中層數(shù)最高的 NAND 技術(shù)，采用 321 層設(shè)計，可達(dá)到 1 Tb TLC 封裝。
圖片來自 skhynix
該公司在 8 月 8 日至 10 日于圣克拉拉舉辦的 Flash Memory Summit (FMS) 2023 上介紹了其 321 層 1Tb TLC 4D NAND Flash 的開發(fā)進(jìn)展。
SK 海力士是首家詳細(xì)公布超過 300 層 NAND 開發(fā)進(jìn)展的公司。該公司計劃提高 321 層產(chǎn)品的完成度，并于 2025 年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)。
該公司表示，已經(jīng)量產(chǎn)世界上最高 238 層 NAND 并取得成功后積累起來的技術(shù)競爭力為 321 層產(chǎn)品的開發(fā)順利進(jìn)行鋪平道路?！竿ㄟ^突破堆疊限制，SK 海力士將引領(lǐng)擁有超過 300 個堆疊層數(shù)的 NAND 時代并主導(dǎo)市場?！?/p>
與之前一代 238 層 512Gb 相比，321 層 1Tb TLC NAND 在生產(chǎn)效率方面提高了 59%，這要歸功于能夠在單個芯片上堆疊更多單元和更大存儲容量的技術(shù)發(fā)展，意味著可以在單個晶圓上生產(chǎn)出更多容量。
自 ChatGPT 推出以來，促進(jìn)了生成式人工智能市場的增長，對于能夠以更快速度處理更多數(shù)據(jù)的高性能、高容量存儲產(chǎn)品的需求正在迅速增長。
因此，在 FMS 上，SK 海力士還介紹了針對這種人工智能需求優(yōu)化的下一代 NAND 解決方案，包括采用 PCIe Gen5 接口和 UFS 4.0 的企業(yè)級 SSD。該公司預(yù)計這些產(chǎn)品將實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的性能，充分滿足高性能需求的客戶。
SK 海力士還宣布已經(jīng)開始開發(fā)下一代 PCIe Gen6 和 UFS 5.0，并表示致力于引領(lǐng)行業(yè)趨勢。
