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造芯片比造原子彈難100倍!僅憑一個(gè)國(guó)家和地區(qū)造光刻機(jī)不現(xiàn)實(shí)!
關(guān)于中國(guó)芯片制造發(fā)展,很多網(wǎng)友和專家都表示不看好,蓋因長(zhǎng)期以來(lái),中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)實(shí)行的都是“拿來(lái)主義”,十幾年來(lái),幾乎沒(méi)有幾家擁有自主制造芯片的實(shí)力。
那么問(wèn)題來(lái)了,既然十幾年來(lái)都可以“買買買”,為什么現(xiàn)在突然開(kāi)始“缺芯”了呢?
首先,直接原因肯定是因?yàn)槊绹?guó)對(duì)中國(guó)部分企業(yè)的芯片斷供,如臺(tái)積電、三星,甚至中芯國(guó)際等所有含美國(guó)技術(shù)的芯片廠商都無(wú)法為華為等中國(guó)企業(yè)供貨;
其次,中國(guó)5G建設(shè)能力全球領(lǐng)先,萬(wàn)物互聯(lián)的物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代即將拉開(kāi)大幕,大到智能冰箱、空調(diào)這樣的大型電器,小到一塊兒童智能手表,都需要芯片。
中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)一旦爆發(fā),那么是不是需要更多的芯片呢?而如果讓中國(guó)芯片陷入短缺困境,那么是不是就能以此拖慢中國(guó)科技進(jìn)步的腳步呢?
所以,總的來(lái)說(shuō),美國(guó)對(duì)中國(guó)企業(yè)的“芯片斷供”是中國(guó)產(chǎn)業(yè)升級(jí)必經(jīng)的一環(huán),中國(guó)科技進(jìn)步也是當(dāng)前“芯片短缺”的根本原因。
“國(guó)家隊(duì)”入場(chǎng),中國(guó)移動(dòng)成立首家芯片公司芯片不能買了怎么辦?那就自己造。
根據(jù)中國(guó)移動(dòng)在7月5日發(fā)布的信息顯示,其已經(jīng)正式成立了首家全資芯片子公司芯昇科技有限公司,旨在幫助物聯(lián)網(wǎng)芯片國(guó)產(chǎn)化,解決芯片內(nèi)核卡脖子問(wèn)題。
事實(shí)上,該公司早在2020年底便已經(jīng)成立,不過(guò)一直到今天才正式宣布獨(dú)立運(yùn)營(yíng),并且進(jìn)軍物聯(lián)網(wǎng)芯片制造。
需要知道的是,根據(jù)公開(kāi)數(shù)據(jù)顯示,截至2020年底,我國(guó)總計(jì)新增了6萬(wàn)家芯片相關(guān)企業(yè),但是主要以私企為主,新增大型國(guó)企幾乎沒(méi)有。
而此次中國(guó)移動(dòng)首家芯片公司的成立無(wú)疑意味著,關(guān)于中國(guó)芯片制造,“國(guó)家隊(duì)”親自入場(chǎng)了!
而且不得不說(shuō)的是,前有武漢弘芯千億半導(dǎo)體項(xiàng)目“爛尾”,后有濟(jì)南泉芯12寸半導(dǎo)體項(xiàng)目夭折,此次“國(guó)家隊(duì)”入場(chǎng),或許將徹底掃清這一股“歪風(fēng)邪氣”!
云南大學(xué)破冰硫化鉑材料瓶頸當(dāng)然,芯片公司雖然是成立了,但是具體發(fā)展需要面臨的問(wèn)題仍然一個(gè)不少。
由于我國(guó)在芯片制造行業(yè)基礎(chǔ)確實(shí)薄弱,因此在6月份舉行的2021世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)上,中國(guó)院士聯(lián)合產(chǎn)業(yè)提出了三條路。
這三條路簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是要么繼續(xù)沿著硅基芯片的老路一步一步發(fā)展;要么就探索光量子芯片、石墨烯芯片等新方向的可能;要么就配合相關(guān)產(chǎn)業(yè),大力發(fā)展成熟制程芯片,先掌控自主可控的55納米及以上制程芯片。
嚴(yán)格來(lái)說(shuō),這三條道路并不存在沖突,只是各有側(cè)重,中國(guó)芯片制造目前也是按照這三條道路在走,并且都已經(jīng)取得了一定成績(jī)。
比如在新型芯片方向,近日就傳來(lái)一個(gè)好消息。
根據(jù)《科技日?qǐng)?bào)》的公布的信息顯示,云南大學(xué)教授團(tuán)隊(duì)突破了硫化鉑材料瓶頸,在性能上優(yōu)于第三代半導(dǎo)體。
可能很多人不知道硫化鉑的意義在哪里,這里舉一個(gè)很簡(jiǎn)單的例子就明白了。
目前硅基芯片的發(fā)展已經(jīng)看到天花板,如果想要繼續(xù)突破,那么只能考慮采用新型材料。比如前段時(shí)間臺(tái)積電在1納米制程測(cè)試中使用的一種新材料—半金屬鉍。
當(dāng)時(shí)很多人認(rèn)為半金屬鉍或?qū)⒀永m(xù)摩爾定律,成為未來(lái)第三代半導(dǎo)體的最佳材料。而硫化鉑乃是一種比半金屬鉍成本更低、產(chǎn)出效率更高、實(shí)際性能更優(yōu)的新型材料,未來(lái)的芯片材料或許將都是硫化鉑。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),這是屬于芯片底層技術(shù)上的突破,在芯片制造發(fā)展史上具有里程碑的意義!
寫在最后芯片制造確實(shí)很難,但是我們不是從一窮二白開(kāi)始研究,更不是像無(wú)頭蒼蠅一樣亂闖。
它或許真的比造原子彈難,但是現(xiàn)在中國(guó)芯片制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展已經(jīng)是上下一體,多路并進(jìn),相信在“國(guó)家隊(duì)”的加盟和眾多中國(guó)科學(xué)家們的努力之下,芯片“爛大街”的時(shí)代一定不遠(yuǎn)了!