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      柵極

      • 閃存,正式進(jìn)入232層時(shí)代

        昨日晚間,閃存大廠美光正式宣布,公司的232層3D NAND Flash正式量產(chǎn)。 按照美光介紹,這是閃存行業(yè)首次跨入兩百層。與前幾代美光NAND相比,新產(chǎn)品具有業(yè)界最高的面密度,…

        2022年7月28日
      • 消息稱三星電子將于6月30日開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片

        鞭牛士 6月29日消息,據(jù)BusinessKorea報(bào)道,三星電子將于6月30日開(kāi)始批量生產(chǎn)基于全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)的3納米半導(dǎo)體。GAA晶體管結(jié)構(gòu)優(yōu)于目前的FinFET結(jié)構(gòu),…

        2022年6月29日
      • 三星電子有望下周宣布 3nm 工藝量產(chǎn)

        品玩6月22日訊,據(jù) TechWeb 報(bào)道,三星電子有望在下周宣布 3nm 制程工藝的量產(chǎn)事宜。 據(jù)報(bào)道,三星的 3nm 制程工藝有望咸魚臺(tái)積電量產(chǎn),三星電子此前曾表示,采用全環(huán)繞…

        2022年6月24日
      • 新消息傳來(lái)!“中芯”的牌面基本已經(jīng)變了,梁孟松沒(méi)說(shuō)錯(cuò)

        點(diǎn)擊關(guān)注,每天精彩不斷! 導(dǎo)讀:新消息傳來(lái)!“中芯”的牌面基本已經(jīng)變了,梁孟松沒(méi)說(shuō)錯(cuò)! 在半導(dǎo)體集成電路芯片領(lǐng)域,美國(guó)的實(shí)力一直都是比較雄厚的,作為半導(dǎo)體集成電路芯片的發(fā)源地,美國(guó)…

        2022年6月23日
      • 臺(tái)積電搶攻2nm王冠!ASML最強(qiáng)光刻機(jī)加持,2025年量產(chǎn)

        編輯:桃子 袁榭 【新智元導(dǎo)讀】2nm制程全球爭(zhēng)奪戰(zhàn)升級(jí)!6月16日,臺(tái)積電首度公布2nm先進(jìn)制程,將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù),預(yù)計(jì)2025量產(chǎn)。 臺(tái)積電殺手锏來(lái)了:2…

        2022年6月18日

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