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      新消息傳來(lái)!“中芯”的牌面基本已經(jīng)變了,梁孟松沒(méi)說(shuō)錯(cuò)

      新消息傳來(lái)!“中芯”的牌面基本已經(jīng)變了,梁孟松沒(méi)說(shuō)錯(cuò)

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      導(dǎo)讀:新消息傳來(lái)!“中芯”的牌面基本已經(jīng)變了,梁孟松沒(méi)說(shuō)錯(cuò)!

      半導(dǎo)體集成電路芯片領(lǐng)域美國(guó)的實(shí)力一直都是比較雄厚的,作為半導(dǎo)體集成電路芯片的發(fā)源地,美國(guó)不僅擁有著先進(jìn)的芯片技術(shù),而且美國(guó)還擁有高通、英特爾、蘋(píng)果等一大批的芯片巨頭企業(yè),所以在全球芯片市場(chǎng)上,美國(guó)也擁有著很高的話語(yǔ)權(quán),自從老美多次修改芯片規(guī)則以后,也直接讓全球芯片市場(chǎng)的發(fā)展迎來(lái)了大洗牌!

      中芯國(guó)際被寄予厚望

      這些年來(lái),我國(guó)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域一直受制于“造不如買(mǎi)”的買(mǎi)辦思想的影響,所以我們?cè)谛酒I(lǐng)域的發(fā)展也一直都比較落后,而國(guó)內(nèi)科技企業(yè)發(fā)展所需的芯片,也幾乎都是依賴于從美國(guó)高通、英特爾等芯片巨頭企業(yè)手中購(gòu)買(mǎi)而來(lái),這也導(dǎo)致國(guó)內(nèi)科技企業(yè)的發(fā)展很容易被人卡脖子;為了加快在芯片生產(chǎn)領(lǐng)域的發(fā)展,如今我國(guó)的中芯國(guó)際也被寄予厚望,隨著國(guó)際芯片市場(chǎng)的不斷變化,如今“中芯”的牌面基本也已經(jīng)變了!

      “中芯”的牌面基本已經(jīng)變了

      中芯國(guó)際目前是中國(guó)大陸技術(shù)最先進(jìn)的晶圓廠家,在芯片生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,中芯已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)14nm芯片的生產(chǎn),而且中芯在梁孟松的帶領(lǐng)下,還在不斷地突破N+1、N+2等先進(jìn)工藝芯片技術(shù)的研發(fā),而梁孟松也表示;芯片工藝的研發(fā)并沒(méi)有捷徑,只有一步一步地來(lái),而中芯在最近兩三年的時(shí)間里也已經(jīng)完成了28-7nm技術(shù)的開(kāi)發(fā),可以說(shuō)中芯的發(fā)展速度是飛躍的!

      新消息傳來(lái),梁孟松沒(méi)說(shuō)錯(cuò)

      如果只從芯片研發(fā)工藝來(lái)說(shuō),現(xiàn)在臺(tái)積電無(wú)疑是走在了世界的最前沿,臺(tái)積電作為芯片生產(chǎn)領(lǐng)域的霸主,其不僅實(shí)現(xiàn)了4nm芯片的量產(chǎn),而且臺(tái)積電方面還表示已經(jīng)在研發(fā)2nm芯片工藝了;不過(guò)在先進(jìn)芯片工藝領(lǐng)域,英特爾和三星也一直在努力研發(fā),并與臺(tái)積電相競(jìng)爭(zhēng);其中三星在最新的3nm芯片工藝領(lǐng)域采用了全新的GAA工藝,量產(chǎn)時(shí)間將比臺(tái)積電還早,還有英特爾也表示將研發(fā)18A即1.8nm工藝,要與臺(tái)積電在芯片領(lǐng)域一決高下,那么三星、英特爾為何在先進(jìn)工藝芯片領(lǐng)域發(fā)展如此迅猛,并要與臺(tái)積電相競(jìng)爭(zhēng)呢?

      實(shí)際上,無(wú)論是臺(tái)積電,還是三星和英特爾,它們所說(shuō)的先進(jìn)工藝芯片制程并非按真正的柵極寬度來(lái)的,也就是說(shuō)3nm和2nm并非是真正的3nm與2nm,這些都只是它們自己的命名;像臺(tái)積電的7nm芯片每平方毫米有0.97億個(gè)晶體管,而三星則有0.95億個(gè),英特爾卻高達(dá)1.8億個(gè),所以英特爾的7nm芯片的工藝技術(shù)相當(dāng)于是臺(tái)積電的4nm工藝,英特爾方面也傳來(lái)新消息,將修改原來(lái)的制程命名,將7nm修改為4nm,這對(duì)于中芯來(lái)說(shuō),也意味著牌面發(fā)生了改變!

      因?yàn)檫@些芯片企業(yè)的工藝命名都沒(méi)有按照對(duì)應(yīng)柵極寬度來(lái)命名,所以我們也不能太相信這些芯片巨頭廠家的芯片代工工藝!按照這樣的命名情況來(lái)看的話,中芯表面上突破了14nm工藝,那么可能和臺(tái)積電、三星等技術(shù)相差的也并不多,還有梁孟松所主導(dǎo)的N+1、N+2工藝,這些都沒(méi)有標(biāo)明是多次nm工藝技術(shù),按照晶圓管密度來(lái)對(duì)比的話,其實(shí)N+1、N+2工藝也相當(dāng)于是突破了10nm和7nm,可以說(shuō)梁孟松沒(méi)說(shuō)錯(cuò),中芯已經(jīng)完成了28-7nm技術(shù)的開(kāi)發(fā),只要我們擁有了先進(jìn)的光刻機(jī),那么芯片也將取得重大突破,不知道對(duì)此你是怎么看的呢?

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