今日熱點
2. 庫存持續(xù)升高，Q3 DRAM價格恐下跌3%~8%
3. 先進邏輯芯片與新世代存儲產(chǎn)能擴張，特殊氣體供應吃緊
4. 韓企吐槽政府太官僚，建芯片廠用時漫長
5. 三星追臺積電，2025年量產(chǎn)2nm制程
01
昨（20）日，中國信通院發(fā)布的《5月國內(nèi)手機市場運行分析報告》指出，今年5月，國內(nèi)市場手機出貨量2080.5萬部，同比下降9.4%。這是中國信通院此一系列報告中，跌幅連續(xù)第2個月的收窄。
圖1，2022年中國國內(nèi)手機市場銷量同比跌幅月度數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)來源：中國信通院，閃德資訊制圖
今年以來，國內(nèi)手機市場受多方綜合因素影響，出貨量同比持續(xù)負增長。從圖1可以看出，到目前為止，3月的同比跌幅達到最高的40.5%，超過4成的跌幅，不可謂不驚人。4月、5月，同比跌幅開始顯著收窄，特別是5月，跌幅僅為3月峰值的1/4不到，4月的1/3不到。
手機市場作為重要的存儲相關市場，其出貨量跌幅持續(xù)收窄，對于當前跌跌不休的存儲市場多少算是一個好消息。
不過，單月跌幅持續(xù)收窄跌幅，雖然算是一個好消息。但或者更值得關注的是累計銷量的跌幅，它也開始收窄了。
圖2，2022年中國國內(nèi)手機市場累計銷量同比跌幅數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)來源：中國信通院，閃德資訊制圖
如圖2所示，累計銷量的跌幅，于4月達到最高30.3%的峰值，這一方面在于3月40.5%的跌幅確實沒那么容易收住，另一方面，4月的34.2%跌幅也同樣高于累計、攤均后的數(shù)據(jù)。好在5月單月9.4%的跌幅大幅收窄，前5個月的累計跌幅也就一并得到了收窄。
若4月、5月國內(nèi)手機出貨量的顯著收窄，意味著國內(nèi)手機市場逐步走向復蘇，甚至能在接下來的6、7、8、9……月走向正向的同比增長，那無疑將對包括存儲產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的相關產(chǎn)業(yè)帶來重大的利好。
當然，我們也需要看到，存儲市場所面對的不利因素，遠不止于手機產(chǎn)業(yè)的不景氣。但無疑，我們也可以基于每一個相關行業(yè)的利好因素，構筑我們對行業(yè)未來的信心。
02
庫存持續(xù)升高，Q3 DRAM價格恐下跌3%~8%
據(jù)調(diào)研機構報告，盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍未擺脫俄烏戰(zhàn)事、高通脹導致消費性電子需求疲弱的負面影響，進而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3%~ 8%的主因，且不排除部分產(chǎn)品在如PC與智能手機領域恐出現(xiàn)超過8%跌幅。
PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過于求，因此即便PC需求不振，但供應商仍難以減少PC DRAM供給量，造成供貨位元數(shù)持續(xù)小幅季增，故預估PC DRAM價格將跌3%~8%。
服務器DRAM方面，現(xiàn)下客戶端的庫存7~8周略為偏高，而服務器領域目前又為原廠銷售的主要出?？?，但客戶端的位元需求量仍不足以完全消耗投片量增加與制程演進所帶來的位元產(chǎn)出。加上消費類別的PC DRAM及手機DRAM下半年需求不明朗，迫使原廠將產(chǎn)能移轉至服務器DRAM，導致供應商必須透過部分銷售策略如兩季度的價格綁定、提高在手庫存壓抑價格跌幅，預測第三季服務器DRAM將再下跌0~5%。
移動設備DRAM方面，由于終端消費市場銷售仍不如預期，迫使原廠逐季微幅調(diào)降移動設備DRAM生產(chǎn)比重，并轉至服務器DRAM，借此穩(wěn)定市場庫存以及價格。但由于制程轉進挹注，移動設備DRAM位元供給量并沒有因此明顯下降，加上單機平均搭載容量又未能顯著提升，導致供過于求狀態(tài)持續(xù)，跌幅會較第二季擴大至3%~8%。在歷經(jīng)第二季智能手機需求低迷，品牌庫存又急待消耗的狀況，導致原廠出貨遲滯，在營收、庫存等雙重壓力夾擊下，對于價格將釋出更大讓價意愿，力求6月底前先行談妥部分價格并出貨以解燃眉之急。
顯卡DRAM方面，由于買方面臨庫存增加及后續(xù)渠道需求的不確定性，市場拉貨動能疲弱。盡管美光第三季僅剩零星GDDR6 8Gb供給，但韓廠投片量增加及需求弱化，目前顯卡DRAM供給無虞，也因此造成第三季價格仍小跌0~5%。需求面疲弱算是導致本季顯卡DRAM價格不易上漲的關鍵，惟須關注原廠態(tài)度，若原廠認為第三季價格下跌也無法刺激需求，仍會盡可能力守價格持平。
消費端DRAM方面，由于俄烏戰(zhàn)事、高通脹等因素沖擊消費性電子買氣，屬消費端DRAM相關應用的筆電、電視出貨面臨下修，加上DDR3因價格屬于相對高點，買方在庫存與成本壓力之下，購買力道明顯收斂，預估DDR3與DDR4需求將同步下滑，市場拉貨動能持續(xù)走弱。而韓廠對于退出DDR3供給的計劃不變，但下半年仍有中國大陸廠及臺廠新增產(chǎn)能開出。在需求走弱，供給增加的情形下，賣方的議價優(yōu)勢不再，難以支撐第三季消費端DRAM價格，預測DDR3與DDR4價格將季減3%~8%。
03
先進邏輯芯片與新世代存儲產(chǎn)能擴張，特殊氣體供應吃緊
據(jù)商業(yè)和技術資訊電子材料咨詢機構《TECHCET》報告顯示，2021年全球電子氣體市場營收達63億美元，預計2022年再成長8%，到2026年年復合成長率高達9%。成長主因歸功于特種氣體需求，隨著領先邏輯晶片和新世代存儲需求不斷增加，蝕刻、沉積、真空腔室清潔及其他應用的特種氣體需求將越來越多。
近期氦、氖等關鍵工業(yè)氣體有供應問題，長遠看隨著產(chǎn)業(yè)需求增加，三氟化氮(NF3)、六氟化鎢(WF6) 等氣體供需平衡可能逐漸改變。 另外俄烏戰(zhàn)爭使工業(yè)氣體供應也面臨壓力，俄羅斯的氦氣和稀有氣體出口禁令將延長，造成氦和氖等稀有氣體供應短缺。戰(zhàn)爭只是氦氣短缺問題部分原因，還有設備維護、運輸物流、其他氦氣產(chǎn)區(qū)供應分配等都加劇供應鏈吃緊。
04
韓企吐槽政府太官僚，建芯片廠用時漫長
據(jù)韓媒《中央日報》報道，數(shù)名業(yè)界人士批評，韓國政府的官僚制度拖慢半導體建廠速度，這對競爭力來說是一大問題，因為快速擴產(chǎn)、滿足客戶需求的能力，是能否贏得訂單關鍵。
在韓國，芯片制造商獲得中央或地方政府核可后，還得取得打造芯片廠基礎設施的執(zhí)照，過程得拖上好幾年。臺積電去年10月意外宣布要赴日本建廠，今年4月已在熊本縣動工，而Sony Semiconductor Solutions先進芯片制造廠也將在2024年底投產(chǎn)。
相較之下，三星電子雖早在2010年就已選定要在韓國京畿道平澤市建廠，但耗時5年才終于開工。平澤市一廠直到2017年7月才開始量產(chǎn)。即便2015年已開工，平澤市一廠依舊遇到許多阻礙，舉例來說，三星在當?shù)亟ㄔO廠房需要的發(fā)電設施時，遭廠址附近居民群起抗議。
另外，SK海力士2019年宣布一項大規(guī)模半導體聚落的興建規(guī)劃后，也等了兩年才終于在2021年3月獲得龍仁市政府批準。環(huán)評是拖累進度主因，SK海力士仍在檢測周遭地區(qū)、并設法與居民達成協(xié)議。龍仁半導體聚落預料將在2025年興建第一座芯片廠，2027年開始運作。
05
三星追趕臺積電，2025年量產(chǎn)2nm制程
據(jù)韓媒BusinessKorea報道，晶圓代工龍頭臺積電公布2納米制程2025年開始量產(chǎn)之后，三星為了迎頭趕上，正加碼押注3納米環(huán)繞閘極技術（GAA）技術，將在未來三年完成建立GAA技術的3納米芯片制程，并在2025年量產(chǎn)以GAA制程為基礎的2納米芯片，屆時兩強將同步以最先進的2納米制程搶市。
GAA是改善半導體電晶體結構的下一代制程技術，讓閘極能夠接觸電晶體的四個側面，相較于當前鰭式場效電晶體（FinFET）只能接觸電晶體三個側面的情況，GAA結構可比FinFET制程更精準控制電流。三星正押注把GAA技術應用到3納米制程，以便追趕臺積電。
專家指出，由于臺積電預料將從2納米芯片開始導入GAA制程，約2026年推出第一款以GAA技術為基礎的2納米芯片產(chǎn)品，因此若三星在以GAA技術為基礎的3納米芯片制程良率穩(wěn)定，能夠改變晶圓代工市場全局，未來三年將是三星的關鍵期。
