傳統(tǒng)存儲(chǔ)廠商推出混合硬盤(pán)SSHD?；旌嫌脖P(pán)為NAND FLASH顆粒+機(jī)械硬盤(pán)的混合體，有點(diǎn)類似大容量緩存的機(jī)械硬盤(pán)，混合硬盤(pán)中的NAND FLASH顆粒容量通常為幾GB到幾十GB，主要是利用其高速度存取的優(yōu)勢(shì)來(lái)改善機(jī)械硬盤(pán)的平均存取時(shí)間，而存儲(chǔ)的主體依然是高容量的機(jī)械硬盤(pán)部分，有點(diǎn)類似于Windows Vista和Windows 7中的“Ready Boost”機(jī)制。
混合硬盤(pán)會(huì)記錄某時(shí)刻讀寫(xiě)最頻繁的數(shù)據(jù)，并且將其保存在響應(yīng)速度最快的NAND FLASH中，從而達(dá)到堪比固態(tài)硬盤(pán)的性能。
混合硬盤(pán)將頻繁使用的數(shù)據(jù)寫(xiě)入NAND FLASH后還會(huì)讓機(jī)械硬盤(pán)部分停轉(zhuǎn)“待命”，待有新的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)時(shí)才會(huì)啟動(dòng)，這樣就降低了機(jī)械硬盤(pán)的磁頭的讀寫(xiě)頻率和盤(pán)片的旋轉(zhuǎn)時(shí)間，提升性能的同時(shí)也使得使用壽命大為提升，并降低了耗電量。
一旦遇上大量數(shù)據(jù)的持續(xù)寫(xiě)入，小容量的NAND FLASH容量耗盡后，機(jī)械硬盤(pán)孱弱的讀寫(xiě)性能就會(huì)“原形畢露”，混合硬盤(pán)不僅消費(fèi)領(lǐng)域沒(méi)有普及，企業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域也沒(méi)能實(shí)現(xiàn)對(duì)傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)的取代。
